아토메라(ATOM), RF 애플리케이션용 질화갈륨(GaN) 온 실리콘 성능 향상 위한 MST 기술 도입

반도체 소재 기술 기업 아토메라(Atomera)가 RF 애플리케이션에 사용되는 질화갈륨(GaN) 온 실리콘(GaN-on-Silicon) 기술의 성능을 향상시키기 위한 새로운 MST(Material-by-Design) 기술을 발표했습니다. 이 기술은 5G, 위성 통신, 레이더 등 고성능 RF 기기에서 요구되는 전력 효율성과 처리량을 증대시키는 것을 목표로 합니다. 아토메라의 MST는 더 얇은 에피택셜 층으로도 우수한 성능을 달성하게 함으로써 재료 비용 절감과 생산성 향상에 기여할 수 있습니다. 이를 통해 GaN-on-Silicon 기술의 광범위한 채택을 촉진하고 관련 시장에서 경쟁 우위를 확보할 것으로 예상됩니다.